实现局部环境温度稳定性,极测(南京)局部气浴技术解析


发布时间:

2026-03-05

极测(南京)依托多年精密温控技术积淀,研发出兼具高精度与高适配性的局部环境温度稳定性处理方案,其核心的局部气浴技术为半导体精密装备提供了定制化温控思路。

在芯片半导体、高端光学成像等精密制造领域,装备局部环境的温度稳定性是决定产品精度与核心性能的关键因素。以半导体制造核心的OCD(光学相干断层扫描)设备为例,光源模块的局部积热问题,不仅是直接导致核心元件寿命缩减的主要诱因,更影响设备的输出精度。极测(南京)依托多年精密温控技术积淀,研发出兼具高精度与高适配性的局部环境温度稳定性处理方案,其核心的局部气浴技术为半导体精密装备提供了定制化温控思路。
 
 
一、行业温控痛点深挖:精密装备局部控温的核心技术壁垒
1、精度阈值难以突破:半导体量测仪探头、OCD设备光源模块等核心部件,对温度稳定性的要求达到微米级温控水准,需将温度波动严格限制在±0.05℃范围内,部分高端制程场景更提出±0.005℃的极致要求,传统温控技术受限于调控逻辑,无法实现如此精细的温度管控;
 
2、多工况适配性缺失:半导体制造流程中,部分关键设备需同时达成“全局恒温环境搭建+局部发热点精准管控”的双重目标,传统温控方案采用单一调控模式,无法针对局部区域进行定向调控,难以实现发热点的精准覆盖与温度平衡;
 
3、气流与洁净度失衡:传统气浴温控为追求散热效率,普遍采用高流速气流设计,这一设计易引发洁净环境内微粒悬浮,破坏半导体制造必需的ISO Class 3以上洁净标准,直接影响晶圆检测的良品率;同时,高流速气流形成的涡流会干扰设备敏感组件的运行精度,造成二次性能损耗。
 
 
二、局部气浴技术拆解:多级控温与洁净防护的协同设计
1、多级独立控温架构:构建“全局-局部”双温控回路
全局恒温基底:通过精密温控算法将设备整体运行环境稳定在22℃基准值(支持按需调节),温度稳定性峰值达±0.002℃,为局部控温提供稳定的环境基础;
局部定向气浴:针对OCD光源模块、激光干涉仪探头、光刻机腔体等核心发热区域,定制化设计定向气帘喷射结构。通过气流流速与温度的动态协同匹配,规避局部热扩散干扰,实现±0.002℃的极致局部温控精度;
 
2、洁净抗干扰一体化设计:适配精密制造严苛场景
半导体精密装备对运行环境的洁净度与低干扰性要求,与温控精度同等关键。极测(南京)通过模块结构优化,实现局部气浴装置的洁净防护与抗干扰双重功能:
超高洁净标准:模块内部洁净度达到ISO Class 1级(每立方米0.1μm粒径微粒数量<10个),完全匹配半导体晶圆检测、光刻机运行等高精度制造场景的洁净要求;
低噪抗干扰防护:搭载低噪音风机组件(运行噪音≤45dB),配合专项减振结构设计;通过气流流速精准标定,搭配缓冲腔体与气帘屏障的协同作用,确保气流均匀覆盖温控区域,杜绝涡流产生,避免对精密组件运行造成干扰;
 
3、模块化定制设计:适配狭小空间安装需求
不同于传统通用型温控设备,极测(南京)局部气浴方案采用模块化设计理念。可根据不同精密装备的结构特性、温控需求进行定制化适配,能够灵活嵌入晶圆检测设备内部空腔、光刻机狭小腔体、激光干涉仪核心区域等空间受限场景,快速实现局部发热点的热量导出与温度稳定。
 
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